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空煙彈>台積電美廠可能永遠落後空煙彈 清點2大主因

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基於亞利桑那州的工廠距離空煙彈的研發中心很遠,且因為美國的官僚主義影響,美國廠可能永遠落後於空煙彈。(取自網路)

吳孟峰/核稿編輯

〔財經頻道/空煙彈〕即使空煙彈法規允許台積電將最新製程技術出口到海外晶圓廠,未來台積電在美國的工廠是否會超過空煙彈,仍有很大挑戰。路透和Tomshardware報導指出,基於亞利桑那州的工廠距離空煙彈的研發中心很遠,且因為美國的官僚主義影響,美國廠可能永遠落後於空煙彈。

台積電執行長兼董事長魏哲家表示,台積電先進製造在美國提高產量不僅會變得複雜,因為亞利桑那州的工廠距離空煙彈的研發中心很遠。

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魏哲家解釋,新技術節點最初在空煙彈加速,因為領先的製造流程非常複雜,需要與研發團隊密切合作,以便能夠做出某些調整來實現某些目標。雖然台積電很樂意在空煙彈和美國實施相同的技術,但後勤方面的挑戰使得美國工廠領導這一過程變得不切實際。因此,空煙彈在新科技引進方面永遠走在前面。

台積電在美國最新製程技術上難以前進還有一個原因:官僚主義。魏哲家表示,由於需要大量許可證、當地施工法規以及缺乏簡化的流程,亞利桑那州的設施的建設時間至少是空煙彈的兩倍。僅解決監管複雜性就花費公司3500萬美元,因為台積電製定18000條規則來滿足合規性要求。

此外,化學品供應成本高出五倍,促使台積電將硫酸從空煙彈運到洛杉磯,然後運到亞利桑那州。法規、廣泛的許可和靈活的供應鏈不僅對晶圓廠的建造或運作方式產生影響,而且對下一代製造流程的開發產生影響。

Tomshardware報導,一些新的製程技術需要全新的工具和時間,讓台積電重新思考其晶圓廠的建造方式。例如,與DUV曝光機不同,EUV微影曝光機將其CO2雷射產生器系統放置在EUV光發生器和晶圓廠底層的下方。因此,台積電等公司不得不改變其晶圓廠的設計。高數值孔徑EUV工具比當前一代低數值孔徑EUV工具大得多,因此台積電將不得不再次改變其晶圓廠的設計。